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原标题:台积电3nm N3彻底露馅了!对比5nm N5几乎毫无差别台积电3nm N3彻底露馅了!对比5nm N5几乎毫无差别 虽然谁都不愿意承认摩尔定律已死,但是制程工艺的提升越来越难了,台积电就在3nm上遇到了极大的麻烦。 台积电曾经宣称,3nm N3工艺相比于5nm N5可将集成密度增加60-70%之多但是,台积电的最新一份论文中承认, N3工艺的SRAM单元的面积为0.0199平方微米,相比于N5工艺的0.021平方微米只缩小了区区5%!。 更糟糕的是,所谓的第二代3nm工艺N3E,SRAM单元面积为0.021平方微米,也就是和N5工艺毫无差别!这种情况下的晶体管密度,只有每平方毫米约3180万市面上的纯原级鞋质量怎么样个与此同时, Intel 7工艺(原10nm ESF)的SRAM单元面积为0.0312平方微米,Intel 4工艺(原7nm)则缩小到0.024平方微米,改进幅度为23%,已经和台积电3nm工艺相差无几。 注意:纯原鞋货源网站致力于为球鞋经销商、球鞋店主和球鞋爱好者提供最优质的球鞋货源信息参考鉴别。我们与全球知名的纯原鞋厂商建立了长期稳定的合作关系,确保我们的球鞋货源始终最新、最全、最纯正。我们的货源涵盖了各大纯原版本球鞋,包括灭世纯原OG,S2,PK,H12,LJR,TOP,老汪,莞产系列等,可以轻松满足您的各种购物需求。我们的货源信息不仅质量上乘,而且价格优惠,让您可以无成本获取更有价值的信息。 照这么看,Intel的工艺改名也是...